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Evaluation of CuO2 plane hole doping in YBa2Cu3O6+x single crystals

机译:YBa2Cu3O6 + x单晶中CuO2平面空穴掺杂的评价

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摘要

The electron hole concentration p in the CuO2 planes of YBa2Cu3O6+x (YBCO)has been evaluated using the unit cell length in the c-direction together witha simple estimation for p in the chain oxygen ordered phases. The empiricalrelationship between p and c obtained allows calculation of p from the c-axislattice parameter for the entire doping range of YBCO. It is also suggestedthat the empirical parabola describing the relationship between Tc and p inLa2-dSrdCuO4 is reasonably correct for YBCO except for the region around p=1/8, where the Tc of YBCO is suppressed by as much as 17 K. A correction ofthe parabola for the p = 1/8 effect is presented.
机译:YBa2Cu3O6 + x(YBCO)的CuO2平面中的电子空穴浓度p已使用c方向的晶胞长度以及链氧有序相中的p的简单估计进行了评估。所获得的p和c之间的经验关系允许根据YBCO的整个掺杂范围的c轴晶格参数来计算p。还建议,描述Lab2-dSrdCuO4中Tc与p之间关系的经验抛物线对于YBCO是合理正确的,除了p = 1/8附近的区域外,其中YBCO的Tc被抑制多达17K。提出了p = 1/8效应的抛物线。

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